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2022-09-26
典型GaN射頻器件的工藝流程
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
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2022-09-26
氮化鎵X波段氮化鎵放大器和阻塞轉(zhuǎn)換器的新進展
英國高性能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日宣布推出一系列小型微波GaN基脈沖固態(tài)功率放大器（SSPA），包括200W和400WX波段SSPA，以及即將增加的1kW C波段放大器的設計和1kW X波段放大器。
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2022-09-26
【顯示資訊DisplayTimes】韓國KAIST研發(fā)軟性垂直Micro LED 可用于刺激、活化腦部并控制行為
韓國學術團隊研發(fā)出軟性垂直Micro LED技術，可置入動物腦部，利用燈光控制行動，適用于腦部研究等生物醫(yī)療領域，也可用于智能型手機、行動裝置顯示器、穿戴式照明產(chǎn)品，技術已達量產(chǎn)水平。
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2022-09-26
氮化鎵|美國空軍研究實驗室研究出柔性氮化鎵生長新方法，對射頻器件意義重大
美國空軍研究實驗室（AFRL）宣布已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種新的生長和轉(zhuǎn)移氮化鎵（GaN）方法，為未來第五代、高速、靈活的通信系統(tǒng)奠定了基礎。
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